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    本發明之積層板之製造方法，係連續進行：在單面或雙面上設有電路形成面(103)的核心層(102)之電路形成面(103)上，於加熱加壓下，積層由含有熱硬化性樹脂(201)的樹脂組成物所形成之增層材(200)，而獲得積層體的積層步驟；及將所積層的增層材(200)表面施行平滑化的平滑化步驟；然後，對積層體加熱而使熱硬化性樹脂(201)更進一步進行硬化的硬化步驟。此處，將在積層步驟完成的階段，增層材(200)利用動態黏彈性試驗，依測定範圍50~200℃、升溫速度3℃/min、頻率62.83rad/sec所測得複數動態黏度的極小值η1，調正為50Pa‧s以上且500Pa‧s以下。
    公开号:TW201311085A
    申请号:TW101122159
    申请日:2012-06-21
    公开日:2013-03-01
    发明作者:Noriyuki Ohigashi；Haruo Murakami；Tadasuke Endo；Michio Kimura
    申请人:Sumitomo Bakelite Co；
    IPC主号:H05K3-00
    专利说明:
    積層板之製造方法
    本發明係關於積層板之製造方法。
    多層印刷佈線板用積層板之製造方法，已知有在屬於核心層的電路基板上，由絕緣層與導體層交錯重疊的增層方式之製造方法。根據該方法，在絕緣層形成時，主要係使用在塑膠薄膜上形成熱硬化性樹脂層的接著薄膜。將該接著薄膜積層(laminate)於核心層上，經剝離塑膠薄膜之後，藉由將熱硬化性樹脂施行熱硬化，便形成絕緣層。
    例如專利文獻1(日本專利特開2000-228581)所記載的積層板之製造方法，係施行：在經圖案加工的電路基板上，於加熱及加壓條件下，真空積層由樹脂組成物層構成之接著薄膜的第一步驟；以及從支撐基座薄膜上施行加熱與加壓，而對鄰接支撐基座薄膜的樹脂組成物層表面施行平滑化的第二步驟。 [先行技術文獻] [專利文獻]
    專利文獻1：日本專利特開2000-228581號公報
    然而，若增層材係使用已形成熱硬化性樹脂層的接著薄膜，則即使如專利文獻1所示施行平滑化步驟，仍會有源自電路圖案的凹凸殘留於積層板表面上的情況。特別係當該凹凸係較深的電路圖案溝渠之情況、或增層材厚度較薄的情況便較為明顯。又，接著在硬化步驟中，因為一般係依無荷重施行，因而沿源自電路圖案的凹凸，會有增層材發生凹凸的情況。當積層板表面上有殘留凹凸的情況，會導致所獲得積層板的厚度出現變動。
    本發明係有鑑於上述實情而完成，並提供一種可安定生產表面平滑性優異之積層板的積層板之製造方法。
    根據本發明所提供的積層板之製造方法，係連續進行：在單面或雙面上設有電路形成面的核心層之上述電路形成面上，於加熱加壓下，積層由含有熱硬化性樹脂的樹脂組成物所形成之增層材，而獲得積層體的積層步驟；及將所積層的上述增層材表面施行平滑化的平滑化步驟；然後，對上述積層體加熱而使上述熱硬化性樹脂更進一步進行硬化的硬化步驟；其中，將在上述積層步驟完成的階段，上述增層材利用動態黏彈性試驗，依測定範圍50~200℃、升溫速度3℃/min、頻率62.83rad/sec所測得複數動態黏度的極小值設為η1時，η1係50Pa‧s以上且500Pa‧s以下。
    根據此發明，藉由將積層步驟完成階段的增層材之複數動態黏度η1設為50Pa‧s以上，則不會使增層材中的熱硬化性樹脂流動性變為過大，因而可一邊抑制熱硬化性樹脂滲出，一邊施行積層體的平滑化。
    再者，根據本發明，藉由將積層步驟完成階段的增層材之複數動態黏度η1設為500Pa‧s以下，則可在確保增層材中的熱硬化性樹脂之適度流動性情況下，對積層體表面施行平滑化。所以，可安定地獲得源自電路圖案的凹凸不會殘留於表面上的積層板。
    所以，根據本發明，可安定地獲得表面平滑性優異的積層板。
    根據本發明，可提供能安定地生產表面平滑性優異之積層板獨積層板之製造方法。
    上述目的、以及其他目的、特徵及優點，藉由以下所述較佳實施形態、及所附示的以下圖式便可更加清楚明白。
    以下，針對本發明實施形態使用圖式進行說明。另外，圖式中就同樣的構成要件賦予相同元件符號並省略適當說明。 (積層板之製造方法)
    針對本實施形態的積層板之製造方法概要進行說明。圖1所示係本實施形態的積層板100之製造步驟剖視圖。
    首先，在單面或雙面上已形成電路101的核心層102之電路形成面103上，於加熱加壓下，積層由含有熱硬化性樹脂201的樹脂組成物所形成之增層材200，而獲得積層體(積層步驟)。接著，例如利用隔著相對向的一對金屬構件之熱壓，而施行所積層增層材200表面的平滑化(平滑化步驟)。然後，加熱積層體，使熱硬化性樹脂201更進一步硬化(硬化步驟)，即可獲得本實施形態的積層板100。
    此處，積層步驟完成階段的增層材200係利用動態黏彈性試驗，依測定範圍50~200℃、升溫速度3℃/min、頻率62.83rad/sec所獲得複數動態黏度的極小值η1為50Pa‧s以上、較佳為70Pa‧s以上、更佳為100Pa‧s以上。藉由將複數動態黏度η1設為上述下限值以上，因為增層材200中的熱硬化性樹脂201流動性便不會變為過大，因而在平滑化步驟中可抑制熱硬化性樹脂201滲出，俾可安定地將積層體予以平滑化。
    再者，積層步驟完成階段的增層材200係利用動態黏彈性試驗，依測定範圍50~200℃、升溫速度3℃/min、頻率62.83rad/sec所獲得複數動態黏度的極小值η1為500Pa‧s以下、較佳為450Pa‧s以下、更佳為400Pa‧s以下。藉由將複數動態黏度η1設為上述上限值以下，便可在確保增層材200中的熱硬化性樹脂201流動性情況下，安定地將積層體表面予以平滑化。所以，可安定地獲得源自電路101的凹凸不會殘留於表面上的積層板100。
    另外，在積層步驟完成後且於施行平滑化步驟之前的期間，亦會有增層材200因積層體中所殘留的熱而進行反應之情況。所以，上述所謂「積層步驟完成階段」係指剛要進入平滑化步驟前的狀態。所以，增層材200係並不需要在剛完成積層步驟之後即滿足上述複數動態黏度η1，只要直到正要進行平滑化步驟之前能滿足上述複數動態黏度η1即可。
    另外，複數動態黏度η1係從積層體表面的層300中，切取出含有熱硬化性樹脂的樹脂組成物並當作測定樣品，再使用動態黏彈性測定裝置即可進行測定。
    接著，針對構成本實施形態積層板100的各材料進行說明。 (核心層)
    核心層102係指諸如玻璃環氧基板、金屬基板、聚酯基板、聚醯亞胺基板、BT樹脂基板、熱硬化型聚苯醚基板等基板的單面或雙面，設有經圖案加工過之電路形成面103的薄片狀者。又，核心層102亦涵蓋更進一步應形成層300及電路101的中間製造物之內層電路基板。
    核心層102之製造方法並無特別的限定，例如使用雙面設有金屬箔的核心層，利用鑽床機對既定地方鑿孔，再利用無電解電鍍達成核心層的雙面導通。然後，藉由對金屬箔施行蝕刻而形成電路101。另外，內層電路部分最好施行諸如黑化處理等粗糙化處理。又，開口部係可利用諸如導體糊膏或樹脂糊膏予以適當埋藏。 (增層材)
    增層材200係主要由熱硬化性樹脂層構成的絕緣樹脂薄片。另外，本實施形態的增層材200並未包括在纖維基材上浸漬熱硬化性樹脂而獲得的預浸體。
    增層材200之製作方法並無特別的限定，可利用例如：將樹脂組成物P溶解於溶劑中而調製成樹脂清漆V，再將樹脂清漆V塗佈於基材薄膜上，再使溶劑乾燥的公知方法進行製作。所獲得絕緣樹脂薄片係可保持原狀態，或在熱硬化性樹脂層表面上更積層離型薄膜，再捲繞呈捲筒狀並儲存。
    將樹脂組成物P塗佈於基材薄膜上的方法，係可例如：在樹脂清漆V中浸漬基材薄膜的方法、利用各種塗佈機將樹脂清漆V塗佈於基材薄膜上的方法、利用噴霧將樹脂清漆V吹抵於基材薄膜上的方法等。該等之中，較佳係利用各種塗佈機將樹脂清漆V塗佈於基材薄膜上的方法。藉此，可使用公知塗佈設備連續地製造絕緣樹脂薄片。
    樹脂組成物P係含有(A)環氧樹脂。(A)環氧樹脂係可舉例如：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚E型環氧樹脂、雙酚M型環氧樹脂、雙酚P型環氧樹脂、雙酚Z型環氧樹脂等雙酚型環氧樹脂；酚酚醛型環氧樹脂、甲酚酚醛型環氧樹脂等酚醛型環氧樹脂；聯苯基型環氧樹脂、聯苯芳烷型環氧樹脂等芳伸烷型環氧樹脂；萘型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、苯氧基型環氧樹脂、雙環戊二烯型環氧樹脂、降烯型環氧樹脂、金剛烷型環氧樹脂、茀型環氧樹脂等環氧樹脂等。可單獨使用該等中之1種，亦可併用2種以上。
    (A)環氧樹脂的含有量並無特別的限定，較佳係佔樹脂組成物P全體的15質量%以上且80質量%以下。更佳係25質量%以上且50質量%以下。又，若併用液狀的雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂等液狀環氧樹脂，則可提升對基材薄膜的塗佈性，故屬較佳。液狀環氧樹脂的含有量更佳係佔樹脂組成物P全體的2質量%以上且18質量%以下。又，若併用固態的雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂，便可提升對導體的密接性。
    再者，樹脂組成物P中亦可含有諸如三聚氰胺樹脂、脲樹脂、氰酸酯樹脂等除環氧樹脂以外的熱硬化性樹脂，較佳係併用氰酸酯樹脂。氰酸酯樹脂的種類並無特別的限定，可舉例如：酚醛型氰酸酯樹脂、雙酚A型氰酸酯樹脂、雙酚E型氰酸酯樹脂、四甲基雙酚F型氰酸酯樹脂等雙酚型氰酸酯樹脂等。該等之中，就從低熱膨脹性的觀點，較佳係酚酚醛型氰酸酯樹脂。又，更可併用其他的氰酸酯樹脂1種或2種以上，並無特別的限定。氰酸酯樹脂較佳係佔樹脂組成物P全體的8質量%以上且20質量%以下。
    樹脂組成物P較佳係含有(B)無機填充材。(B)無機填充材係可舉例如：滑石、煅燒黏土、未煅燒黏土、雲母、玻璃等矽酸鹽；氧化鈦、氧化鋁、二氧化矽、熔融二氧化矽等氧化物；碳酸鈣、碳酸鎂、水滑石等碳酸鹽；氫氧化鋁、氫氧化鎂、氫氧化鈣等氫氧化物；硫酸鋇、硫酸鈣、亞硫酸鈣等硫酸鹽或亞硫酸鹽；硼酸鋅、偏硼酸鋇、硼酸鋁、硼酸鈣、硼酸鈉等硼酸鹽；氮化鋁、氮化硼、氮化矽、氮化碳等氮化物；鈦酸鍶、鈦酸鋇等鈦酸鹽等。可單獨使用該等中之1種，亦可併用2種以上。
    該等之中，特佳係二氧化矽，就從低熱膨脹性優異的觀點，較佳係熔融二氧化矽(特別係球狀熔融二氧化矽)。就形狀係有破碎狀、球狀，但為確保對基材薄膜的塗佈性，且為降低樹脂組成物P的熔融黏度，可使用諸如球狀二氧化矽等，並採用配合目的之使用方法。
    (B)無機填充材的平均粒徑並無特別的限定，較佳係0.01μm以上且3μm以下、更佳係0.02μm以上且1μm以下。藉由將(B)無機填充材的粒徑設為0.01μm以上，則可使清漆呈低黏度，可使樹脂組成物P良好地塗佈於基材薄膜上。又，藉由設為3μm以下，則可清漆中抑制(B)無機填充劑沉澱等。該平均粒徑係可利用例如粒度分佈計(島津製作所公司製、製品名：雷射繞射式粒度分佈測定裝置SALD系列)進行測定。
    再者，(B)無機填充材並無特別的限定，亦可使用平均粒徑為單分散的無機填充材，亦可使用平均粒徑為多分散的無機填充材。又，亦可併用平均粒徑為單分散及/或多分散的無機填充材之1種或2種以上。
    再者，較佳係平均粒徑3μm以下的球狀二氧化矽(特別係球狀熔融二氧化矽)、更佳係平均粒徑0.02μm以上且1μm以下的球狀熔融二氧化矽。藉此，可提升(B)無機填充劑的填充性。
    (B)無機填充材的含有量並無特別的限定，較佳係佔樹脂組成物P全體的2質量%以上且70質量%以下、更佳係5質量%以上且60質量%以下。若含有量在上述範圍內，特別係可成為低熱膨脹、低吸水。
    樹脂組成物P並無特別的限定，較佳係使用(C)偶合劑。(C)偶合劑係藉由提升與(A)環氧樹脂及(B)無機填充材間之界面濕潤性，俾可改善耐熱性、特別係吸濕後的焊錫耐熱性。
    (C)偶合劑係可使用通常使用者均可任意使用，具體較佳係使用從環氧矽烷偶合劑、陽離子矽烷偶合劑、胺基矽烷偶合劑、鈦酸酯系偶合劑及聚矽氧油型偶合劑之中選擇1種以上的偶合劑。藉此可提高與(B)無機填充材的界面間之濕潤性，且藉此可更加提升耐熱性。
    (C)偶合劑的添加量係依存於(B)無機填充材的比表面積，因而無特別的限定，相對於(B)無機填充材100質量份，較佳係0.02質量%以上且3質量%以下、更佳係0.1質量%以上且2質量%以下。藉由將含有量設為0.02質量%以上，而可充分被覆(B)無機填充材，俾可提升耐熱性。藉由設為3質量%以下，則可良好地進行反應，且可防止彎曲強度等降低。
    樹脂組成物P可更進一步使用(D)酚系硬化劑。酚系硬化劑係可舉例如：酚酚醛樹脂、烷基酚酚醛樹脂、雙酚A酚醛樹脂、雙環戊二烯型酚樹脂、XYLOCK型酚樹脂、萜烯改質酚樹脂、聚乙烯酚類等公知慣用者，該等係可單獨使用、或組合使用2種以上。
    (D)酚硬化劑的調配量較佳係與(A)環氧樹脂的當量比(酚性羥基當量/環氧基當量)為0.1以上且1.0以下。藉此，不會有未反應的酚硬化劑殘留，俾提升吸濕耐熱性。當樹脂組成物P係併用環氧樹脂與氰酸酯樹脂的情況，更佳係0.2以上且0.5以下的範圍。理由係酚樹脂不僅作為硬化劑的作用，可會促進氰酸酯基與環氧基間之硬化。
    在樹脂組成物P中視需要亦可使用(E)硬化觸媒。(E)硬化觸媒係可使用公知物。可例如：環烷酸鋅、環烷酸鈷、辛酸錫、辛酸鈷、雙乙醯丙酮酸鈷(II)、參乙醯丙酮酸鈷(III)等有機金屬鹽；三乙胺、三丁胺、二氮雜雙環[2,2,2]辛烷等三級胺類；2-苯基-4-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-乙基-4-乙基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基咪唑等咪唑類；酚、雙酚A、壬基酚等酚化合物；醋酸、苯甲酸、水楊酸、對甲苯磺酸等有機酸等、或其混合物。硬化觸媒係可涵蓋該等中之衍生物單獨使用1種，亦可涵蓋該等中之衍生物併用2種以上。
    (E)硬化觸媒的含有量並無特別的限定，較佳係佔樹脂組成物P全體的0.05質量%以上、更佳係0.2質量%以上。藉由將硬化觸媒的含有量設為上述下限值以上，則可效率更佳地獲得依動態黏彈性試驗所測得複數動態黏度的極小值η1達50Pa‧s以上的增層材200。上述動態黏彈性試驗，係測定範圍50~200℃、升溫速度3℃/min、頻率62.83rad/sec。又，可充分促進硬化。
    再者，硬化觸媒的含有量並無特別的限定，較佳係佔樹脂組成物P全體的5質量%以下、更佳係2質量%以下。藉由設為上述上限值以下，便可效率更佳地獲得依動態黏彈性試驗所測得複數動態黏度的極小值η1在500Pa‧s以下的增層材200。上述動態黏彈性試驗，係測定範圍50~200℃、升溫速度3℃/min、頻率62.83rad/sec。又，可防止增層材200的保存性降低。
    樹脂組成物P亦可併用諸如：苯氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚伸苯醚樹脂、聚醚碸樹脂、聚酯樹脂、聚乙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂等熱可塑性樹脂；苯乙烯-丁二烯共聚合體、苯乙烯-異戊二烯共聚合體等聚苯乙烯系熱可塑性彈性體；聚烯烴系熱可塑性彈性體、聚醯胺系彈性體、聚酯系彈性體等熱可塑性彈性體；聚丁二烯、環氧改質聚丁二烯、丙烯酸改質聚丁二烯、甲基丙烯酸改質聚丁二烯等二烯系彈性體。該等之中，較佳係苯氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚伸苯醚樹脂、聚醚碸樹脂等耐熱性高分子樹脂。藉此，可使增層材的厚度均勻性優異，作為佈線基板時的耐熱性及細微佈線絕緣性均優異。又，該樹脂組成物P中，視需要亦可添加諸如：顏料、染料、消泡劑、均塗劑、紫外線吸收劑、發泡劑、抗氧化劑、難燃劑、離子捕捉劑等除上述成分以外的添加物。
    樹脂清漆V中所使用的溶劑最好對樹脂組成物P中的樹脂成分呈良好溶解性，在不致造成不良影響的範圍內，亦可使用貧溶劑。呈良好溶解性的溶劑係可例如：丙酮、甲乙酮、甲基異丁酮、環己酮、環戊酮、四氫呋喃、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、二甲亞碸、乙二醇、賽珞蘇系、卡必醇系等。
    樹脂清漆V的固形份並無特別的限定，較佳係樹脂組成物P的固形份20質量%以上且80質量%以下、更佳係50質量%以上且70質量%以下。藉此可更加提升樹脂清漆V對基材薄膜的塗佈性。
    在基材薄膜上塗佈樹脂組成物P之後，使溶劑乾燥的溫度並無特別的限定，例如90℃以上且220℃以下而可使乾燥。
    增層材200的厚度較佳係50μm以下。特別係30μm以下的情況，因為較容易在積層板表面上產生源自電路圖案的凹凸，因而本實施形態的積層板之製造方法便屬更有效果。此處，增層材200的厚度係表示在基材薄膜上所形成熱硬化性樹脂層的厚度，並未包括基材薄膜的厚度。
    基材薄膜並無特別的限定，可使用塑膠薄膜、金屬箔，例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)等聚酯；聚碳酸酯(PC)、丙烯酸樹脂(PMMA)、環狀聚烯烴、三醋酸纖維素(TAC)、聚醚碸(PES)、聚醚酮、聚醯亞胺；銅箔、鋁箔等金屬箔等。基材薄膜的厚度並無特別的限定，一般係10μm以上且150μm以下。另外，亦可對基材薄膜施行消光處理、電暈處理、離型處理等。
    增層材200亦可隔著金屬箔或薄膜呈複數片積層。金屬箔係可舉例如：銅及銅系合金、鋁及鋁系合金、銀及銀系合金、金及金系合金、鋅及鋅系合金、鎳及鎳系合金、錫及錫系合金、鐵及鐵系合金等金屬箔。該等之中較佳係銅箔。
    接著，針對積層板之製造方法的各步驟分別進行詳細說明。 (積層步驟)
    首先，較佳係準備已捲繞呈捲筒狀的增層材200，並與薄片狀核心層102一起搬送至積層機。積層機較佳係例如具備有呈對向的一對彈性構件，並依核心層102與增層材200被彈性構件夾置的狀態，隔著彈性構件施行加熱及加壓而積層。此時，較佳係使用更具備有絕熱橡膠等彈性構件的積層機，並隔著彈性構件施行壓製。彈性構件係具有柔軟性，因為可追蹤在核心層上所形成電路101的凹凸形狀，因而能使核心層102與增層材200更加密接。
    積層機較佳係使用在真空下施行加熱及加壓的積層機(真空積層機)。彈性構件係可使用例如板狀或捲筒狀橡膠。
    加熱溫度並無特別的限定，較佳係80℃以上、更佳係90℃以上。藉由設為上述下限值以上，則可效率更佳地獲得依動態黏彈性試驗所測得複數動態黏度η1達50Pa‧s以上之增層材200。又，加熱溫度較佳係160℃以下、更佳係140℃以下。藉由設為上述上限值以下，則可效率更佳地獲得依動態黏彈性試驗所測得複數動態黏度η1在500Pa‧s以下之增層材200。
    加熱時間並無特別的限定，較佳係10秒以上、更佳係30秒以上。藉由設為上述下限值以上，而可效率更佳地獲得依動態黏彈性試驗所測得複數動態黏度η1達50Pa‧s以上之增層材200。又，加熱時間並無特別的限定，較佳係500秒以下、更佳係300秒以下。藉由設為上述上限值以下，便可效率更佳地獲得依動態黏彈性試驗所測得複數動態黏度η1在500Pa‧s以下的增層材200。
    壓力較佳係依0.4MPa以上且1.5MPa以下的範圍實施。
    上述積層步驟係可使用市售真空積層機實施。例如可使用Nichigo Morton公司製CPV300所具備的真空加壓式積層機、或其同等物。 (平滑化步驟)
    在積層步驟之後，形成增層材200的熱硬化性樹脂201會軟化，並追蹤在核心層102上所形成電路101變形為凹凸。在此將所積層的增層層300與核心層102，藉由隔著呈對向的一對金屬構件施行熱壓，而執行經積層之積層體的平滑化。
    平滑化步驟係在大氣壓下，經由被加熱的SUS鏡板等金屬構件，對積層體施行加熱及加壓而實施。
    此處，平滑化步驟完成階段的增層材200，利用動態黏彈性試驗，依測定範圍50~200℃、升溫速度3℃/min、頻率62.83rad/sec所獲得複數動態黏度的極小值η2(以下有簡稱「複數動態黏度η2」的情況)，較佳係滿足η2≧η1×1.1。藉由滿足上述關係，在後續的硬化步驟中不易引發積層體的膨脹等，可獲得表面平滑性更優異的積層板。又，藉由滿足上述關係，則可效率更佳地執行硬化步驟。
    再者，平滑化步驟完成階段的增層材200，依動態黏彈性試驗所測得複數動態黏度的極小值η2較佳係520Pa‧s以上、更佳係550Pa‧s以上、特佳係580Pa‧s以上。藉由將複數動態黏度η2設為上述下限值以上，在後續的硬化步驟中不易引發積層體的膨脹等，可獲得表面平滑性更優異的積層板。又，藉由滿足上述關係，則可效率更佳地執行硬化步驟。
    再者，平滑化步驟完成階段的增層材200，依動態黏彈性試驗所測得複數動態黏度η2較佳係10,000Pa‧s以下、更佳係5,000Pa‧s以下。藉由將複數動態黏度η2設為上述上限值以下，則可獲得保存性更優異的積層板。
    另外，複數動態黏度η2係從積層體表面的層300中，切取出含有熱硬化性樹脂的樹脂組成物並當作測定樣品，再使用動態黏彈性測定裝置便可進行測定。
    此種平滑化步驟係可使用市售熱壓裝置實施，例如可使用Nichigo Morton公司製CPV300所具備的熱壓裝置、或其同等物。
    加熱溫度並無特別的限定，較佳係80℃以上、更佳係90℃以上。藉由設為上述下限值以上，則可效率更佳地獲得平滑化步驟完成階段，依動態黏彈性試驗所測得複數動態黏度η2達520Pa‧s以上的增層材200。又，加熱溫度較佳係180℃以下、更佳係170℃以下。藉由設為上述上限值以下，則可效率更佳地獲得依動態黏彈性試驗所測得複數動態黏度η2在10,000Pa‧s以下的增層材200。
    加熱時間並無特別的限定，較佳係10秒以上、更佳係30秒以上。藉由設為上述下限值以上，則可效率更佳地獲得平滑化步驟完成階段，依動態黏彈性試驗所測得複數動態黏度η2達520Pa‧s以上的增層材200。又，加熱時間並無特別的限定，較佳係500秒以下、更佳係300秒以下。藉由設為上述上限值以下，則可效率更佳地獲得平滑化步驟完成階段，依動態黏彈性試驗所測得複數動態黏度η2在10,000Pa‧s以下的增層材200。
    壓力較佳係依0.4MPa以上且1.5MPa以下的範圍實施。
    再者，較佳係抽真空與加壓時間的合計積層步驟時間、與平滑化步驟時間係相等。依此因為可將搬送積層體的線速度呈一定，因而可連續地效率佳施行積層步驟與平滑化步驟。 (第二平滑化步驟)
    本實施形態的積層板之製造方法，亦可在上述平滑化步驟(以下亦稱「第一平滑化步驟」)、與上述硬化步驟之間，更進一步施行第二平滑化步驟，一邊使更進一步進行熱硬化性樹脂的反應，一邊使增層材200的表面更加平滑化。藉此，可使熱硬化性樹脂的反應更進一步進行，俾可抑制因後續步驟的未反應成分揮發等，而造成積層板100表面發生膨脹。
    再者，藉由分開施行平滑化步驟，便不需要將加熱溫度與壓力設定為會引發熱硬化性樹脂急遽硬化的嚴苛條件。因而，可依適度條件，一邊抑制積層體的殘留應力生成，一邊施行積層體表面的平滑化。藉此，可抑制殘留應力的生成量，亦可抑制耐熱與耐濕可靠度惡化。
    再者，因殘留應力的生成量會導致積層板發生翹曲，特別係在施行雷射介層形成步驟之後，該翹曲會明顯發生。若積層板發生翹曲，半導體封裝的翹曲會變大，導致安裝良率降低。又，藉由分開施行平滑化步驟，便可更加抑制在積層板中生成的殘留應力，因而可抑制翹曲，俾可獲得可靠度更優異的積層板。
    第二平滑化步驟的次數並無特別的限定，可配合積層體的表面狀態施行2次以上。藉由施行2次以上，則可獲得表面平滑性更優異的積層板。
    第二平滑化步驟亦可在維持著第一平滑化步驟之際對積層體施加壓力的狀態下，更進一步改變壓力或溫度等條件實施，亦可在第一平滑化步驟之後，於經解除對積層體所施加壓力之後才實施。特別係較佳在第一平滑化步驟後經解除對積層體所施加壓力之後，才實施第二平滑化步驟。
    第二平滑化步驟並無特別的限定，可依照與第一平滑化步驟同樣的方法實施，亦可依不同的方法實施。不同的方法係有如使用以下所示皮帶式輸送機的方法。
    首先，使第一平滑化步驟後的積層體載置於皮帶式輸送機上。接著，在積層體上放置金屬構件等錘，俾使積層體呈加壓狀態。接著，運轉皮帶式輸送機，藉由使通過乾燥爐內，一邊加壓積層體一邊施行加熱。
    載置於積層體上的金屬構件係在具有能加壓積層體之質量的前提下，其餘並無特別的限定，就從耐蝕性、取得容易度的觀點，較佳係不銹鋼製板等。
    載置於積層體上的金屬構件每單位面積之質量並無特別的限定，較佳係0.01kg/cm2以上且15kg/cm2以下。若屬於上述範圍的質量，則可獲得表面平滑性更優異的積層體。
    再者，每單位面積的質量係可利用金屬構件的厚度與片數進行調節，亦可在金屬構件上更放置錘而進行調節。
    第二平滑化步驟的加熱溫度並無特別的限定，較佳係第一平滑化步驟高出10℃以上且100℃以下範圍的溫度。藉由設定為較高於第一平滑化步驟的溫度，則可一邊更促進熱硬化性樹脂的反應，一邊更有效率地將增層材200的表面施行平滑化。
    此種第二平滑化步驟係可使用市售裝置執行，可使用例如：北川精機公司製的熱成形壓機、名機製作所公司製的熱壓裝置、MIKADO TECHNOS公司製的加熱壓製裝置、Held公司的壓帶機裝置、Sandvik公司製的壓帶機裝置、或該等的同等物。 (硬化步驟)
    在平滑化步驟後，藉由對形成增層材200的熱硬化性樹脂201更進一步施行加熱而使其硬化。硬化溫度並無特別的限定，例如100℃以上且250℃以下範圍便可使硬化，較佳係依150℃以上且200℃以下便可使硬化。硬化步驟通常係藉由在大氣壓下對積層體施行加熱而實施。
    本實施形態的硬化步驟，較佳係使積層體的溫度從初期溫度逐漸升溫至最高到達溫度。依此的話，可一邊抑制積層體表面發生膨脹與積層體生成殘留應力，一邊使形成增層材200的熱硬化性樹脂201進行硬化。藉由抑制積層體表面上發生膨脹，而可獲得表面平滑性更優異的積層板。
    再者，依照殘留應力的生成量會導致積層板發生翹曲，特別係在施行雷射介層形成步驟之後，該翹曲會明顯產生。若積層板發生翹曲，則半導體封裝的翹曲會變大，導致安裝良率降低。在硬化步驟中，藉由使積層體的溫度從初期溫度起逐漸升溫至最高到達溫度，可抑制積層板產生殘留應力，故可抑制翹曲，便可獲得可靠度更優異的積層板。
    初期溫度係在不會引發急遽硬化反應之溫度的前提下，其餘並無特別的限定。在平滑化步驟後，當將積層體溫度冷卻至室溫附近之後才施行硬化步驟的情況，初期溫度較佳係在室溫附近。例如0℃以上且40℃以下。
    當在平滑化步驟後，接著施行硬化步驟的情況，亦可在積層體溫度冷卻至室溫附近之後才開始施行硬化步驟。此情況，較佳係40℃以上、更佳係60℃以上。藉由設為上述下限值以上，而可一邊抑制積層體表面發生膨脹與積層體生成殘留應力，一邊效率更佳地進行熱硬化性樹脂層的硬化。
    再者，初期溫度並無特別的限定，較佳係90℃以下、更佳係80℃以下。藉由設為上述上限值以下，便不易引發積層體的急遽升溫，並可一邊更加抑制積層體表面發生膨脹與積層體生成殘留應力，一邊促進熱硬化性樹脂的硬化。
    最高到達溫度並無特別的限定，較佳係90℃以上、更佳係120℃以上。藉由設為上述下限值以上，可充分促進硬化。
    再者，最高到達溫度並無特別的限定，較佳係230℃以下、更佳係200℃以下。藉由設為上述上限值以下，可一邊抑制積層體表面發生膨脹與積層體生成殘留應力，一邊效率更佳地進行熱硬化性樹脂的硬化。
    從初期溫度起至最高到達溫度的平均升溫速度，係在屬於不會引發急遽硬化反應之速度的前提下，其餘並無特別的限定，較佳係1℃/min以上、更佳係3℃/min以上。藉由設為上述下限值以上，便可效率更佳地促進硬化反應。
    再者，從初期溫度起至最高到達溫度的平均升溫速度並無特別的限定，較佳係15℃/min以下、更佳係12℃/min以下。藉由設為上述上限值以下，可一邊抑制積層體表面發生膨脹與積層體生成殘留應力，且可效率更佳地促進熱硬化性樹脂的硬化。
    另外，從初期溫度起至最高到達溫度的平均升溫速度，係可從積層體表面溫度到達最高到達溫度的時間、及最高到達溫度與初期溫度之差計算出。此處，積層體的表面溫度係例如將熱電偶埋藏於積層體中便可測定。
    另外，從初期溫度起至最高到達溫度的升溫速度係可為一定，亦可設置至少2階段以上的變更。為能一邊抑制積層體表面發生膨脹與積層體生成殘留應力，一邊更有效率地促進硬化步驟，較佳係將硬化步驟的初期升溫速度設為較慢，且隨硬化的進行使升溫速度每次少許加速。
    硬化步驟中的積層體之加熱裝置並無特別的限定，可使用公知的加熱方法。可使用例如：熱風乾燥、遠紅外線加熱、高頻感應加熱等加熱乾燥裝置或該等的同等物。
    積層體的加熱方法並無特別的限定，可將積層體通過橫搬送型加熱乾燥裝置內進行連續式加熱，亦可將積層體靜置於加熱乾燥裝置內並依批次式進行加熱。
    使積層體溫度從初期溫度起逐漸升溫至最高到達溫度的方法並無特別的限定，可例如以下的方法。例如將積層體通過橫搬送型加熱乾燥裝置內並進行連續式加熱的情況，可使用具有2以上單元的加熱乾燥裝置實施。藉由從積層體所通過的最先單元起依序提高溫度，便可使加熱積層體的溫度呈階段性變化。所以，可使積層體的溫度從初期溫度起階段性變化至最高到達溫度。
    再者，當將積層體靜置於加熱乾燥裝置內並依批次式加熱的情況，例如藉由設定加熱乾燥裝置的升溫分佈，而可使積層體的溫度從初期溫度起逐漸升溫至最高到達溫度。又，即便將初期溫度狀態的積層體，在預先設定為最高到達溫度的加熱乾燥裝置內，依積層體全體被均等加熱狀態配置，亦可使積層體的溫度從初期溫度起逐漸升溫最高到達溫度。
    硬化時間並無特別的限定，較佳係30分鐘以上、更佳係45分鐘以上。藉由設為上述下限值以上，而可充分促進硬化。
    再者，硬化時間並無特別的限定，較佳75分鐘以下、更佳係60分鐘以下。藉由設為上述上限值以下，而可一邊抑制積層體表面發生膨脹與積層體生成殘留應力，一邊效率更佳地促進熱硬化性樹脂的硬化。
    再者，使積層體溫度降低的步驟亦是較佳使積層體溫度從最高到達溫度起逐漸降溫。依此，可一邊抑制積層體生成殘留應力，一邊使積層體的溫度回復至室溫。 (雷射介層形成步驟)
    接著，對呈硬化的層300照設諸如碳酸氣體雷射、YAG雷射等雷射，而形成介層洞。雷射照射後的樹脂殘渣等較佳係利用諸如過錳酸鹽、重鉻酸鹽等氧化劑等予以除去。又，可同時將平滑層300的表面施行粗糙化，俾提升接著利用金屬鍍敷所形成電路的密接性。增層層300係在上述粗糙化處理中可均勻施行細微的凹凸形狀。又，因為提高層300表面的平滑性，所以可精度佳形成細微的佈線電路。然後，在最外層形成防焊劑，再利用曝光‧顯影，使為能安裝半導體元件用的連接用電極部露出，再施行鎳鍍金處理，經切斷呈既定大小便可獲得積層板。
    若使用本實施形態的積層板之製造方法，因為積層板中所生成的殘留應力受抑制，因而即便施行雷射介層形成步驟，所獲得積層板仍不易發生翹曲。所以，可獲得經抑制翹曲的積層板。 (半導體封裝)
    接著，針對半導體封裝進行說明。
    該半導體封裝係在上述積層板上安裝半導體元件便可製得。半導體元件的安裝方法、密封方法並無特別的限定。例如可依照如下方法進行製造。
    首先使用諸如倒裝晶片接合器(flip chip bonder)等，施行積層佈線板上的連接用電極部、與半導體元件的焊錫凸塊間之對位。接著，使用諸如IR迴焊裝置、熱板、其他加熱裝置，將焊錫凸塊加熱至熔點以上，而將多層印刷佈線板與焊錫凸塊利用熔融接合而相連接。最後，在積層佈線板與半導體元件之間填充液狀密封樹脂，再使其硬化即可獲得半導體封裝。
    以上，參照圖式針對本發明實施形態進行敘述，惟該等僅止於本發明例示而已，亦可採用除上述以外的各種構造。
    例如圖1雖圖示增層層為單層的情況，但層亦可採用在核心層的單面或雙面上積層2層以上的構造。 (實施例)
    以下，針對本發明利用實施例及比較例進行說明，惟本發明並不僅侷限於該等。
    實施例及比較例中所使用的原材料係如下。
    無機填充材：球狀二氧化矽(Admatechs公司製SO-25R、平均粒徑0.5μm)
    環氧樹脂：聯苯芳烷型酚醛環氧樹脂(日本化藥公司製NC-3000)
    環氧樹脂：雙環戊二烯型酚醛環氧樹脂(DIC公司製、HP-7200L)
    氰酸酯樹脂：酚醛型氰酸酯樹脂(LONZA公司製Primaset PT-30)
    環氧樹脂：雙酚A型液狀環氧樹脂(三菱化學公司製、jER-828EL)
    環氧樹脂：雙酚F型液狀環氧樹脂(三菱化學公司製、jER-807)
    酚硬化劑：酚醛型酚樹脂(DIC公司製、TD-2090-60M、60%(w/v)甲乙酮溶液)
    苯氧樹脂：三菱化學公司製、YX6954BH30、30%(w/v)甲乙酮/環己酮溶液)
    聚乙烯縮醛樹脂：積水化學公司製KS-10(羥基25mol%)
    硬化觸媒：2-乙基-4-甲基咪唑(四國化成公司製2E4MZ)
    偶合劑：N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷(信越化學工業公司製、KBM-573) (實施例1) (1)樹脂清漆之調製
    將環氧樹脂的雙環戊二烯型環氧樹脂(DIC公司製、HP-7200L)30.0質量份、雙酚F型液狀環氧樹脂(三菱化學公司製、jER807)3.0質量份、氰酸酯樹脂的酚酚醛型氰酸酯樹脂(LONZA公司製、Primaset PT-30)14.0質量份、苯氧樹脂的三菱化學公司製YX6954BH30依固形份換算計為3.1質量份、以及硬化觸媒的咪唑(四國化成公司製、2E4MZ)0.15質量份，利用甲乙酮與環己酮之混合溶劑施行60分鐘攪拌而使溶解。又，添加偶合劑的N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷(信越化學工業公司製、KBM-573)0.05質量份、與無機填充材的球狀二氧化矽(Admatechs公司製SO-25R、平均粒徑0.5μm)49.7質量份，利用高速攪拌裝置施行10分鐘攪拌，而製得固形份65%的樹脂清漆。 (2)樹脂薄片A之製作
    將所獲得樹脂清漆在厚度36μm的PET(聚對苯二甲酸乙二酯)薄膜單面上，使用間歇滾筒塗佈機裝置施行塗佈。將其利用160℃的乾燥裝置施行3分鐘乾燥，便製得具有樹脂厚度(相當於增層材厚度)40μm基材的樹脂薄片A。 (3)積層步驟
    使用Nichigo Morton公司製的兩階段增層積層機CVP300，從樹脂薄片A製造積層體。具體而言，使用厚度200μm的ELC-4785GS-B(SUMITOMO BAKELITE公司製、銅箔12μm)，利用鑽床機對既定地方施行鑿孔，再利用無電解電鍍達成導通，再對銅箔施行蝕刻，而製得具有電路高度35μm之電路形成面的核心層。又，將上述樹脂薄片A裁剪為單片，安裝於上述CVP300而暫時黏貼於上述核心層上，再於真空積層機內依120℃、0.7MPa、60秒鐘施行真空積層。 (4)平滑化步驟
    然後，使用Nichigo Morton公司製CPV300所具備的熱壓裝置，依120℃、0.6MPa、60秒鐘施行熱壓而平滑化。 (5)硬化步驟
    然後，依170℃施行60分鐘熱處理，使增層材的熱硬化性樹脂硬化便獲得積層板。
    實施例2~7、比較例1~4係除電路高度、增層材厚度、樹脂清漆組成、積層步驟及平滑化步驟的條件，改變為表1所示值之外，其餘均依與實施例1同樣的方法製作積層板。
    [評估]
    (1)依動態黏彈性試驗所測得複數動態黏度η1之測定
    在完成積層步驟之後，從積層體表面的增層層中，切取含有熱硬化性樹脂的樹脂組成物並當作測定樣品，使用動態黏彈性測定裝置(Anton Paar公司製、裝置名Physica MCR-301)，下述條件施行複數動態黏度η1的測定。
    頻率：62.83rad/sec
    測定溫度：50~200℃、3℃/min
    幾何：平行板
    板直徑：10mm
    板間隔：0.1mm
    荷重(法向力)：ON(一定)
    應變：0.3%
    測定環境：空氣
    (2)依動態黏彈性試驗所測得複數動態黏度η2之測定
    在完成平滑化步驟之後，從積層體表面的層中，切取含有熱硬化性樹脂的樹脂組成物並當作測定樣品，依照與上述複數動態黏度η1同樣的條件施行複數動態黏度η2的測定。
    (3)積層板表面之凹凸
    利用掃描式電子顯微鏡(SEM)觀察經硬化步驟後的積層板截面，測定相鄰接有銅佈線部分與無銅佈線部分間之厚度差。
    依n=10測定厚度差，將平均未滿3.0μm者評為合格並記為「◎」；將平均3.0μm以上且未滿3.5μm者評為合格並記為「○」；將平均3.5μm以上且未滿4.5μm者評為不合格並記為「△」；將平均4.5μm以上者評為不合格並記為「×」。結果如表1所示。
    本發明亦可採取以下的態樣。
    [1]一種積層板之製造方法，係連續進行：在單面或雙面上設有電路形成面的核心層之上述電路形成面上，於加熱加壓下，積層著由含有熱硬化性樹脂的樹脂組成物所形成之增層材，而獲得積層體的積層步驟；及將所積層的上述增層材表面施行平滑化的平滑化步驟；然後，對上述積層體加熱而使上述熱硬化性樹脂更進一步進行硬化的硬化步驟；其中，將在上述積層步驟完成的階段，上述增層材利用動態黏彈性試驗，依測定範圍50~200℃、升溫速度3℃/min、頻率62.83rad/sec所測得複數動態黏度的極小值設為η1時，η1係50Pa‧s以上且500Pa‧s以下。
    [2]如上述[1]所記載的積層板之製造方法，其中，將在上述平滑化步驟完成的階段，上述增層材利用動態黏彈性試驗，依測定範圍50~200℃、升溫速度3℃/min、頻率62.83rad/sec所獲得複數動態黏度的極小值設為η2時，滿足η2≧η1×1.1。
    [3]如上述[2]所記載的積層板之製造方法，其中，上述η2係520Pa‧s以上且10,000Pa‧s以下。
    [4]如上述[1]至[3]中任一項所記載的積層板之製造方法，其中，上述增層材的厚度係30μm以下。
    [5]如上述[1]至[4]中任一項所記載的積層板之製造方法，其中，上述硬化步驟中，使上述積層體的溫度從初期溫度起逐漸升溫至最高到達溫度。
    [6]如上述[5]所記載的積層板之製造方法，其中，上述硬化步驟中，從上述初期溫度起至上述最高到達溫度的升溫速度係一定。
    [7]如上述[5]所記載的積層板之製造方法，其中，上述硬化步驟中，從上述初期溫度起至上述最高到達溫度的升溫速度係設為至少2階段以上。
    [8]如上述[5]至[7]中任一項所記載的積層板之製造方法，其中，上述硬化步驟中，從上述初期溫度起至上述最高到達溫度的平均升溫速度係1℃/min以上且15℃/min以下。
    [9]如上述[5]至[8]中任一項所記載的積層板之製造方法，其中，上述硬化步驟中，上述最高到達溫度係90℃以上且230℃以下。
    [10]如上述[1]至[9]中任一項所記載的積層板之製造方法，其中，在上述平滑化步驟與上述硬化步驟之間，更進行對上述增層材表面施行更進一步平滑化的第二平滑化步驟。
    [11]如上述[10]所記載的積層板之製造方法，其中，上述平滑化步驟後經解除對上述積層體所施加的壓力後，再進行上述第二平滑化步驟。
    [12]如上述[10]或[11]所記載的積層板之製造方法，其中，上述第二平滑化步驟，係將加熱溫度提高至高於上述平滑化步驟之後再進行。
    [13]如上述[12]所記載的積層板之製造方法，其中，上述平滑化步驟與上述第二平滑化步驟的加熱溫度差係10℃以上且100℃以下。
    [14]如上述[10]至[13]中任一項所記載的積層板之製造方法，其中，上述第二平滑化步驟中，使上述積層體搭載於皮帶式輸送機上，一邊進行搬送一邊施行加熱與加壓。
    [15]如上述[14]所記載的積層板之製造方法，其中，上述加壓係藉由在上述積層體上搭載著金屬構件而實施。
    [16]如上述[15]所記載的積層板之製造方法，其中，上述金屬構件每單位面積的質量係0.01kg/cm2以上且1kg/cm2以下。
    [17]如上述[15]或[16]所記載的積層板之製造方法，其中，上述金屬構件係由不銹鋼構成。
    [18]如上述[10]至[17]中任一項所記載的積層板之製造方法，其中，上述第二平滑化步驟係施行2次以上。
    [19]如上述[1]至[18]中任一項所記載的積層板之製造方法，其中，上述積層步驟中，在利用呈對向的一對彈性構件夾置上述核心層與上述增層材之狀態下施行加熱及加壓。
    [20]如上述[1]至[19]中任一項所記載的積層板之製造方法，其中，上述增層材係捲繞積層呈捲筒狀；將已捲繞積層的上述增層材進行搬送，且一併搬送薄片狀的上述核心層，而連續式進行上述積層步驟及上述平滑化步驟。
    [21]如上述[1]至[20]中任一項所記載的積層板之製造方法，其中，上述平滑化步驟中，於利用呈對向的一對金屬構件夾置上述核心層與上述增層材之狀態下施行加熱及加壓。
    [22]如上述[1]至[21]中任一項所記載的積層板之製造方法，其中，在上述硬化步驟之後，更進一步進行雷射介層形成步驟。
    [23]如上述[1]至[22]中任一項所記載的積層板之製造方法，其中，抽真空與加壓時間合計的上述積層步驟之時間、與上述平滑化步驟之時間係相等。
    本申請案係以2011年6月21日提出申請的日本專利申請案特願2011-137598號為基礎主張優先權，其所揭示的全部內容均融入本案中。
    100‧‧‧積層板
    101‧‧‧電路
    102‧‧‧核心層
    103‧‧‧電路形成面
    200‧‧‧增層材
    201‧‧‧熱硬化性樹脂
    300‧‧‧增層層
    P‧‧‧樹脂組成物
    V‧‧‧樹脂清漆
    圖1係本實施形態的積層板之製造步驟剖視圖。
    100‧‧‧積層板
    101‧‧‧電路
    102‧‧‧核心層
    103‧‧‧電路形成面
    200‧‧‧增層材
    201‧‧‧熱硬化性樹脂
    300‧‧‧增層層
    权利要求:
    Claims (16)
    [1] 一種積層板之製造方法，係連續進行：在單面或雙面上設有電路形成面的核心層之上述電路形成面上，於加熱加壓下，積層由含有熱硬化性樹脂的樹脂組成物所形成之增層材，而獲得積層體的積層步驟；及將所積層的上述增層材表面施行平滑化的平滑化步驟；然後，對上述積層體加熱而使上述熱硬化性樹脂更進一步進行硬化的硬化步驟；其中，將在上述積層步驟完成的階段，上述增層材利用動態黏彈性試驗，依測定範圍50~200℃、升溫速度3℃/min、頻率62.83rad/sec所測得複數動態黏度的極小值設為η1時，η1係50Pa‧s以上且500Pa‧s以下。
    [2] 如申請專利範圍第1項之積層板之製造方法，其中，將在上述平滑化步驟完成的階段，上述增層材利用動態黏彈性試驗，依測定範圍50~200℃、升溫速度3℃/min、頻率62.83rad/sec所獲得複數動態黏度的極小值設為η2時，滿足η2≧η1×1.1。
    [3] 如申請專利範圍第2項之積層板之製造方法，其中，上述η2係520Pa‧s以上且10,000Pa‧s以下。
    [4] 如申請專利範圍第1或2項之積層板之製造方法，其中，上述增層材的厚度係30μm以下。
    [5] 如申請專利範圍第1或2項之積層板之製造方法，其中，上述硬化步驟中，使上述積層體的溫度從初期溫度起逐漸升溫至最高到達溫度。
    [6] 如申請專利範圍第5項之積層板之製造方法，其中，上述硬化步驟中，從上述初期溫度起至上述最高到達溫度的升溫速度係設為至少2階段以上。
    [7] 如申請專利範圍第1或2項之積層板之製造方法，其中，在上述平滑化步驟與上述硬化步驟之間，更進行對上述增層材表面施行更進一步平滑化的第二平滑化步驟。
    [8] 如申請專利範圍第7項之積層板之製造方法，其中，上述平滑化步驟後經解除對上述積層體所施加的壓力後，再進行上述第二平滑化步驟。
    [9] 如申請專利範圍第7項之積層板之製造方法，其中，上述第二平滑化步驟，係將加熱溫度提高至高於上述平滑化步驟之後而進行。
    [10] 如申請專利範圍第9項之積層板之製造方法，其中，上述平滑化步驟與上述第二平滑化步驟的加熱溫度差係10℃以上且100℃以下。
    [11] 如申請專利範圍第7項之積層板之製造方法，其中，上述第二平滑化步驟係施行2次以上。
    [12] 如申請專利範圍第1或2項之積層板之製造方法，其中，上述積層步驟中，在利用呈對向的一對彈性構件夾置有上述核心層與上述增層材之狀態下施行加熱及加壓。
    [13] 如申請專利範圍第1或2項之積層板之製造方法，其中，上述增層材係捲繞積層成捲筒狀；將已捲繞積層的上述增層材進行搬送，且一併搬送薄片狀的上述核心層，並連續進行上述積層步驟及上述平滑化步驟。
    [14] 如申請專利範圍第1或2項之積層板之製造方法，其中，上述平滑化步驟中，於利用呈對向的一對金屬構件夾置有上述核心層與上述增層材之狀態下施行加熱與加壓。
    [15] 如申請專利範圍第1或2項之積層板之製造方法，其中，在上述硬化步驟之後，更進一步進行雷射介層形成步驟。
    [16] 如申請專利範圍第1或2項之積層板之製造方法，其中，抽真空與加壓時間合計的上述積層步驟之時間、與上述平滑化步驟之時間係相等。
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    TWI453228B|2014-09-21|環氧樹脂組成物，預浸料，積層板，多層印刷佈線板，半導體裝置，絕緣樹脂片材，多層印刷佈線板之製造方法
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    同族专利:
    公开号 | 公开日
    JP5141843B2|2013-02-13|
    KR101908166B1|2018-10-15|
    TWI514945B|2015-12-21|
    KR20140043433A|2014-04-09|
    WO2012176424A1|2012-12-27|
    JP2013030762A|2013-02-07|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    WO2003099952A1|2002-05-27|2003-12-04|Ajinomoto Co., Inc.|Pellicule adhesive et preimpregne|
    JP5011641B2|2004-01-28|2012-08-29|味の素株式会社|熱硬化性樹脂組成物、それを用いた接着フィルム及び多層プリント配線板|
    JP2005251895A|2004-03-03|2005-09-15|Hitachi Chem Co Ltd|多層配線板及び多層配線板の製造方法|
    JP2006179888A|2004-11-26|2006-07-06|Sanyo Chem Ind Ltd|プリント配線板用層間フィルム|
    JP4888147B2|2007-02-13|2012-02-29|住友ベークライト株式会社|樹脂組成物、フィルム付きまたは金属箔付き絶縁樹脂シート、多層プリント配線板、多層プリント配線板の製造方法および半導体装置|
    CN101772526B|2007-08-28|2012-05-30|住友电木株式会社|多层印刷布线板用绝缘树脂组合物、带基材的绝缘树脂片、多层印刷布线板及半导体装置|
    TWI478810B|2008-03-25|2015-04-01|Ajinomoto Kk|An insulating resin sheet, and a multilayer printed circuit board using the same|KR0170695B1|1994-11-15|1999-03-20|윤종용|냉장고 및 유전자 알고리즘-퍼지 추론을 적용한 그 온도 제어장치와 방법|
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    法律状态:
    2020-09-21| MM4A| Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees|
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP2011137598||2011-06-21||
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